The invention encompasses methods for cleaning surfaces of wafers or other semiconductor articles. Oxidizing is performed using an oxidation solution which is wetted onto the surface. The oxidation solution can include one or more of: water, ozone, hydrogen chloride, sulfuric acid, or hydrogen peroxide. A rinsing step removes the oxidation solution and inhibits further activity. The rinsed surface is thereafter preferably subjected to a drying step. The surface is exposed to an oxide removal vapor to remove semiconductor oxide therefrom. The oxide removal vapor can include one or more of: acids, such as a hydrogen halide, for example hydrogen fluoride or hydrogen chloride; water; isopropyl alcohol; or ozone. The processes can use centrifugal processing and spraying actions.

De uitvinding omvat methodes voor het schoonmaken oppervlakten van wafeltjes of andere halfgeleiderartikelen. Het oxyderen wordt uitgevoerd gebruikend een oxydatieoplossing die op de oppervlakte nat wordt gemaakt. De oxydatieoplossing kan één of meer van omvatten: water, ozon, waterstofchloride, zwavelachtig zuur, of waterstofperoxyde. Een spoelende stap verwijdert de oxydatieoplossing en remt verdere activiteit. De gespoelde oppervlakte wordt daarna bij voorkeur onderworpen aan een drogende stap. De oppervlakte wordt blootgesteld aan een damp van de oxydeverwijdering om halfgeleideroxyde daarvan te verwijderen. De damp van de oxydeverwijdering kan één of meer van omvatten: zuren, zoals een waterstofhalogenide, bijvoorbeeld waterstoffluoride of waterstofchloride; water; isopropyl alcohol; of ozon. De processen kunnen centrifugaal verwerking en het bespuiten acties gebruiken.