The invention pertains to semiconductor processing methods of implanting dopants into semiconductor substrates. In one aspect, the invention includes, a semiconductor processing method comprising: a) forming an organic layer over a semiconductive substrate; and b) implanting a conductivity-enhancing dopant through the organic layer and into the semiconductive substrate. In another aspect, the invention includes a semiconductor processing method comprising: a) providing a semiconductive substrate and defining source and drain locations within so the semiconductive substrate; b) forming an organic layer over the source and drain locations; c) implanting a conductivity-enhancing dopant through the organic layer and into the source and drain locations to form source and drain implant regions within the source and drain locations, respectively; and d) forming a transistor gate proximate the source and drain implant regions. In another aspect, the invention includes a semiconductor processing method comprising: a) forming a transistor gate over a semiconductive substrate and defining source/drain locations within the semiconductive substrate proximate the transistor gate; b) forming a polyimide layer over the transistor gate and over the source/drain locations; c) depositing photoresist over the polyimide layer; d) patterning the photoresist to form openings over the source/drain locations; and e) implanting a conductivity-enhancing dopant into the openings, through the polyimide layer and into the source/drain locations.

Η εφεύρεση αναφέρεται στις μεθόδους επεξεργασίας ημιαγωγών τα υλικά πρόσμιξης στα υποστρώματα ημιαγωγών. Σε μια πτυχή, η εφεύρεση περιλαμβάνει, μια μέθοδος επεξεργασίας ημιαγωγών περιλαμβάνοντας: α) διαμόρφωση ενός οργανικού στρώματος πέρα από ένα semiconductive υπόστρωμα και β) εμφυτεύοντας ένα υλικό πρόσμιξης αγωγιμότητα-ενίσχυσης μέσω του οργανικού στρώματος και στο semiconductive υπόστρωμα. Σε μια άλλη πτυχή, η εφεύρεση περιλαμβάνει μια μέθοδο επεξεργασίας ημιαγωγών περιλαμβάνοντας: α) παρέχοντας ένα semiconductive υπόστρωμα και καθορίζοντας τις θέσεις πηγής και αγωγών μέσα έτσι στο semiconductive υπόστρωμα β) διαμόρφωση ενός οργανικού στρώματος πέρα από τις θέσεις πηγής και αγωγών γ) εμφυτεύοντας ένα υλικό πρόσμιξης αγωγιμότητα-ενίσχυσης μέσω του οργανικού στρώματος και στις θέσεις πηγής και αγωγών για να διαμορφώσει τις περιοχές μοσχευμάτων πηγής και αγωγών μέσα στις θέσεις πηγής και αγωγών, αντίστοιχα και Δ) διαμορφώνοντας μια πύλη κρυσταλλολυχνιών εγγύτατη οι περιοχές μοσχευμάτων πηγής και αγωγών. Σε μια άλλη πτυχή, η εφεύρεση περιλαμβάνει μια μέθοδο επεξεργασίας ημιαγωγών περιλαμβάνοντας: α) διαμορφώνοντας μια πύλη κρυσταλλολυχνιών πέρα από ένα semiconductive υπόστρωμα και καθορίζοντας τις θέσεις πηγής/αγωγών μέσα στο semiconductive υπόστρωμα εγγύτατο η πύλη κρυσταλλολυχνιών β) διαμορφώνοντας ένα στρώμα polyimide πέρα από την πύλη κρυσταλλολυχνιών και πέρα από τις θέσεις πηγής/αγωγών γ) καταθέτοντας photoresist πέρα από το στρώμα polyimide Δ) διαμόρφωση photoresist για να διαμορφώσει τις ενάρξεις πέρα από τις θέσεις πηγής/αγωγών και ε) εμφυτεύοντας ένα υλικό πρόσμιξης αγωγιμότητα-ενίσχυσης στις ενάρξεις, μέσω του στρώματος polyimide και στις θέσεις πηγής/αγωγών.