An electro-optical device including a substrate having an insulating surface and at least one thin film transistor formed on the insulating surface, wherein the thin film transistor includes a semiconductor film. An interlayer insulating film including an inorganic material is provided over the thin film transistor. A leveling film including an organic resin is formed over the substrate and covers the thin film transistor. The leveling film is prevented from directly contacting the semiconductor film by the interlayer insulating film formed over the semiconductor film. A pixel electrode is formed on the leveling film and is directly connected to the semiconductor film of the thin film transistor through an opening provided in the leveling film, wherein an edge of the organic resin film at a periphery of the opening is round.

Um dispositivo electro-optical including uma carcaça que tem uma superfície isolando e ao menos um transistor da película fina dados forma na superfície isolando, wherein o transistor da película fina inclui uma película do semicondutor. Uma película isolando do interlayer including um material inorgánico é fornecida sobre o transistor da película fina. Uma película nivelando including uma resina orgânica é dada forma sobre a carcaça e cobre o transistor da película fina. A película nivelando é impedida diretamente de contatar a película do semicondutor pela película isolando do interlayer dada forma sobre a película do semicondutor. Um elétrodo do pixel é dado forma na película nivelando e conectado diretamente à película do semicondutor do transistor da película fina com uma abertura fornecida na película nivelando, wherein uma borda da película orgânica da resina em uma periferia da abertura é round.