A semiconductor device in accordance with the present invention, for
example, is a thin film transistor provided on a transparent substrate.
The semiconductor device made of a polysilicon film is provided with (1) a
semiconductor layer having a source region and a drain region and (2) a
gate electrode provided on a region between the source region and the
drain region of the semiconductor layer via a gate insulating film. The
semiconductor device is further provided with an organic insulating film
made of a condensation polymer having an imide ring such that the organic
insulating film covers the gate electrode, the source region, and the
drain region. The organic insulating film is formed by applying an organic
insulating material such as polyimide, polyamic acid, and other materials,
and thereafter by carrying out a calcining process, thereby reducing a
trap density of the polysilicon film constituting the semiconductor layer
without lowering the productivity due to low throughput, and realizing a
semiconductor device which can be suitably adopted as a thin film
transistor constituting a matrix circuit section of an active-matrix type
liquid crystal display device.
Прибора на полупроводниках в соответствии с присытствыющим вымыслом, например, будет транзистор тонкой пленки обеспеченный на прозрачном субстрате. Прибора на полупроводниках сделанный из пленки polysilicon обеспечен при (1) слой полупроводника имея зону источника и зону стока и (2) электрод строба обеспеченный на зоне между зоной источника и зоной стока слоя полупроводника через пленку строба изолируя. Прибора на полупроводниках более добавочно обеспечен при органическая изолируя пленка сделанная из полимера конденсации имея кольцо имида такие что органическая изолируя пленка покрывает электрод строба, зону источника, и зону стока. Органическая изолируя пленка сформирована путем прикладывать органический изолируя материал such as polyimide, polyamic кислота, и другие материалы, и в дальнейшем путем носить из кальцинируя процесса, таким образом уменьшающ плотность ловушки пленки polysilicon образовывая слой полупроводника без понижать урожайность должную к низкому throughput, и осуществлять прибора на полупроводниках который можно целесообразно принять как транзистор тонкой пленки образовывая раздел цепи матрицы дисплейного устройства кристалла типа активно-matriqy жидкостного.
