A method for forming a via of a metal interconnect structure in a semiconductor device employs a CVD organic BARC between a low k dielectric material and a via photoresist mask. The CVD organic BARC is deposited over the low k dielectric film and protects the film during formation and patterning of the via photoresist mask. Furthermore, the presence of the BARC permits the photoresist mask to be thinner than that used in conventional techniques thereby improving lithography resolution.

Een methode om a te vormen via van een metaal verbindt structuur in een halfgeleiderapparaat aanwendt onderling CVD organische BARC tussen een lage k diëlektrische materiaal en a via photoresist masker. CVD organische BARC wordt gedeponeerd over de lage k diëlektrische film en beschermt de film tijdens vorming en het vormen van via photoresist masker. Voorts laat de aanwezigheid van BARC het photoresist masker toe om dunner te zijn dan dat die gebruikt in conventionele technieken daardoor lithografieresolutie verbetert.