A metal nitride oxide semiconductor (MNOS) type memory using a threshold voltage variation (.DELTA.Vth) due to charging of a single electron when the width of a channel of the memory is set to be smaller than or equal to the Debye screen length (LD) of an electron, and a driving method thereof, are provided. The MNOS memory uses a threshold voltage variation (.DELTA.Vth) due to charging of a single electron occurring when the width of a channel is set to be smaller than or equal to the Debye screen length (LD) which depends on the impurity concentration of a semiconductor substrate.

Um tipo memória do semicondutor do óxido do nitride do metal (MNOS) que usa uma variação da tensão do ponto inicial (DELTA.Vth) devido a carregar de um único elétron quando a largura de uma canaleta da memória está ajustada para ser menor do que ou igual ao comprimento da tela de Debye (LD) de um elétron, e um método dirigindo disso, é fornecido. A memória de MNOS usa uma variação da tensão do ponto inicial (DELTA.Vth) devido a carregar de um único elétron que ocorre quando a largura de uma canaleta é ajustada para ser menor do que ou igual ao comprimento da tela de Debye (LD) que depende da concentração de impureza de uma carcaça do semicondutor.