The present invention provides a spin-dependent tunneling effect element expectable to offer the spin accumulation effect at room temperature while also providing a data storage or "memory" element and magnetic reading head each using the tunnel effect element A first concept of the present invention lies in provision of a magnetic element characterized by comprising first and second ferromagnetic layers 1, 5 and a layer of semiconductor particles 3 neighboring the first ferromagnetic layer 1 with a first tunnel barrier 2 disposed between them and also neighboring the second ferromagnetic layer 5 with a second tunnel barrier 4 laid therebetween. A magnetic memory device is also provided which comprises a plurality of memory cells each including a spin-dependent tunneling effect element having a first ferromagnetic electrode, a second ferromagnetic electrode, and a gate electrode as inserted between the first and second ferromagnetic electrodes through first and second ferromagnetic layers; data lines connected in common to the first or second ferromagnetic electrode of multiple spin-dependent tunneling effect elements; and a plurality of word lines capacitance-coupled to the gate electrodes of different memory cells respectively, characterized in that cell selection of selecting one from among multiple memory cells as commonly connected to a data line during reading information stored therein is performed by letting one of the word lines change in potential and then changing the resistance value of a memory cell capacitance-coupled to such selected word line.

La presente invenzione fornisce un elemento fil-dipendente di effetto di traforo expectable per offrire l'effetto di accumulazione di rotazione alla temperatura ambiente mentre però fornendo un immagazzinaggio di dati o l'elemento "di memoria" e la testa di lettura magnetica ciascuno che usando il concetto dell'elemento A primo di effetto del traforo delle bugie attuali di invenzione nella misura di un elemento magnetico caratterizzato contenendo gli strati in primo luogo ed in secondo luogo ferromagnetici 1, 5 e uno strato delle particelle 3 a semiconduttore vicine il primo strato ferromagnetico 1 con una prima barriera 2 del traforo disposta di fra loro ed inoltre vicino il secondo strato ferromagnetico 5 con una seconda barriera 4 del traforo posta therebetween. Un dispositivo di memoria magnetico inoltre è fornito quale contiene una pluralità le cellule di memoria ciascuno compreso un elemento fil-dipendente di effetto di traforo che ha un primo elettrodo ferromagnetico, un secondo elettrodo ferromagnetico e un elettrodo di cancello come inserito fra i primi e secondi elettrodi ferromagnetici attraverso strati in primo luogo ed in secondo luogo ferromagnetici; le linee di dati hanno collegato in terreno comunale al primo o elettrodo in secondo luogo ferromagnetico degli elementi fil-dipendenti multipli di effetto di traforo; e una pluralità di linee di parola capacità-accoppiate agli elettrodi di cancello delle cellule di memoria differenti rispettivamente, caratterizzati in quella selezione delle cellule della selezione dell'uno a partire fra dalle cellule di memoria multiple come collegate comunemente ad una linea di dati durante le informazioni della lettura memorizzate in ciò è effettuata lasciando una delle linee cambiamento di parola nel potenziale ed allora cambiando il valore di resistenza di una cellula di memoria capacità-accoppiata a tale linea selezionata di parola.