A nonvolatile ferroelectric memory device and driving circuit for driving the same reduce a device size and increase a device driving capability. The nonvolatile ferroelectric memory device includes first and second cell arrays each having sub cell arrays, a local X decoder that outputs a plurality of driving signals for driving split wordlines in the first and second cell arrays, and a first local wordline driver that selectively applies the driving signals to the first cell array and a second local wordline driver that selectively applies the driving signals to the second cell array. A main wordline driver outputs a first control signal that activates the first local wordline driver and a second control signal that activates the second local wordline.

Un dispositivo de memoria ferroelectric permanente y un circuito que conduce para conducir igual reducen un tamaño del dispositivo y aumentan una capacidad que conduce del dispositivo. El dispositivo de memoria ferroelectric permanente incluye primero y los segundos órdenes de célula cada uno que tiene órdenes de célula secundarios, un decodificador local de X que haga salir una pluralidad de señales que conducen para conducir wordlines partidos en los primeros y segundos órdenes de célula, y un primer conductor local del wordline que aplique selectivamente las señales que conducen al primer arsenal de célula y a un segundo conductor local del wordline que aplique selectivamente las señales que conducen al segundo arsenal de célula. Un conductor del wordline de la cañería hace salir una primera señal de control que active el primer conductor local del wordline y una segunda señal de control que active el segundo wordline local.