A nonvolatile ferroelectric memory device is provided that has a plurality
of cell arrays in a matrix and includes a plurality of pull-down sensing
amplifiers between adjacent cell arrays arranged in a vertical direction
that pull-down amplify a data in a corresponding cell array and a pull-up
amplifier. The pull-up amplifier between the vertically adjacent cell
arrays is shared by an upper and a lower cell arrays to selectively
pull-up amplify a data in the upper cell array or data in the lower cell
array. The nonvolatile ferroelectric memory device having the plurality of
vertically arranged cell arrays efficiently reduces a layout and ensures a
stability of amplification by dividing a structure of a sensing amplifier
formed between cell arrays into the pull-down sensing amplifiers and the
pull-up sensing amplifier, and subsequently making the pull-up sensing
amplifier shared by the upper cell array and the lower cell array.
Un bloc de mémoires ferroelectric non-volatile est à condition que ait une pluralité de rangées de cellules dans une matrice et inclue une pluralité d'amplificateurs de sensation déroulants entre les rangées adjacentes de cellules disposées dans une direction verticale que déroulant amplifiez des données dans une rangée correspondante de cellules et tirez-vers le haut l'amplificateur. Tirez-vers le haut l'amplificateur entre les rangées verticalement adjacentes de cellules est partagé par un supérieur et les rangées inférieures des cellules tirent-vers le haut sélectivement amplifient des données dans la rangée supérieure de cellules ou des données dans la rangée inférieure de cellules. Le bloc de mémoires ferroelectric non-volatile ayant la pluralité de rangées verticalement disposées de cellules réduit efficacement une disposition et assure une stabilité d'amplification en divisant une structure d'un amplificateur de sensation formé entre les rangées de cellules en amplificateurs de sensation déroulants et tirez-vers le haut sentir l'amplificateur, et en faisant plus tard tirez-vers le haut sentir l'amplificateur partagé par la rangée supérieure de cellules et la rangée inférieure de cellules.
