As a pretreatment of a substrate, a substrate of Si having the (111) surface orientation as a main surface is soaked in hydrofluoric acid, so as to form a H atomic layer for terminating dangling bonds on the main surface of the substrate. Then, the substrate is placed in a highly evacuated growth chamber in an MBE system, and a Ga molecular beam and a Se molecular beam are supplied onto the H atomic layer on the substrate, so as to grow a buffer layer of GaSe, that is, a van der Waals crystal. Next, with the supply of the Se molecular beam stopped, a N.sub.2 gas activated by using radio frequency or electron cyclotron resonance is supplied instead as a nitrogen source onto the buffer layer on the substrate, so as to form a semiconductor layer of GaN.

Als Vorbehandlung eines Substrates, wird ein Substrat von Silikon, welches die hat (111) Oberflächenlagebestimmung als Hauptoberfläche in der flußsauren Säure getränkt, damit eine H Atomschicht für das Beenden des Baumelns zu bilden auf der Hauptoberfläche des Substrates abbindet. Dann wird das Substrat in einen in hohem Grade evakuierten Wachstumraum in einem MBE System gelegt, und ein Ga molekularer Lichtstrahl und ein Se molekularer Lichtstrahl werden auf die H Atomschicht auf dem Substrat geliefert, um eine Pufferschicht von GaSe d.h. einen Packwagen der Waals Kristall zu wachsen. Zunächst mit dem Versorgungsmaterial Se molekulare stoppte der Lichtstrahl, ein Gas N.sub.2, das durch das Verwenden der Hochfrequenz aktiviert wurde, oder Elektron Cyclotronresonanz wird anstatt als Stickstoffquelle auf die Pufferschicht auf dem Substrat geliefert, um eine Halbleiterschicht von GaN zu bilden.