A semiconductor wafer is prepared which includes a semiconductor layer having on its surface a plurality of functional devices, and a separation line region surrounding and separating the plurality of functional devices from one another. A metal layer is formed on the surface of separation line region of semiconductor region. A reinforcing layer is formed on the surface of semiconductor wafer. By selectively etching the back surface of semiconductor layer, a hole is formed to surround the peripheries of functional device, passing through semiconductor layer and reaching from the back surface to metal layer. Reinforcing plate is removed from semiconductor wafer. Metal layer is irradiated with laser and fused to provide a plurality of semiconductor chips separated from one another.

Подготовлена вафля полупроводника вклюает слой полупроводника имея на своей поверхности множественность функциональных приспособлений, и зона линии разъединения окружая и отделяя множественность функциональных приспособлений от одного другое. Слой металла сформирован на поверхности зоны линии разъединения зоны полупроводника. Усиливая слой сформирован на поверхности вафли полупроводника. селективно вытравлять заднюю поверхность слоя полупроводника, отверстие сформировано для того чтобы окружить периферии функционального приспособления, пропуская через слой полупроводника и достигая от задней поверхности к слою металла. Усиливать плиту извлекается от вафли полупроводника. Слой металла облучен с лазером и сплавлен для того чтобы обеспечить множественность обломоков полупроводника отделенных от одного другое.