A semiconductor substrate is provided having a principal surface which includes a plurality of device areas separated by at least one dicing area. The at least one dicing area includes at least one each of a test device and a measuring mark, and each of the test device and the measuring mark includes a plurality of closely adjacent projections defining a narrow depression therebetween. In one aspect, each narrow depression defined by the closely adjacent projections of each of the test device and the measuring mark is covered with a protective film prior to dicing. In another aspect, the projections are etched either wholly or partially away to eliminate or reduce the size of the narrow depression prior to dicing. In yet another aspect, the narrow depression is filled with a metal film and then a low viscosity resist, prior to application of a high viscosity resist and then later dicing.

Un substrato a semiconduttore è fornito avendo una superficie principale che include una pluralità di zone del dispositivo separate almeno da una zona tagliante. La almeno una zona tagliante include almeno uno ciascuno di un dispositivo della prova e di un contrassegno di misurazione e ciascuno del dispositivo della prova e del voto di misurazione include una pluralità di proiezioni molto attentamente adiacenti che definiscono una depressione stretta therebetween. In una funzione, ogni depressione stretta definita tramite le proiezioni molto attentamente adiacenti di ciascuno del dispositivo della prova ed il contrassegno di misurazione è coperta di pellicola protettiva prima del tagliare. In un'altra funzione, le proiezioni sono incise interamente o parzialmente via eliminare o ridurre il formato della depressione stretta prima del tagliare. In ancora un altra funzione, la depressione stretta è riempita di pellicola del metallo ed allora una viscosità bassa resiste a, prima dell'applicazione di alta viscosità resista a ed allora più successivamente tagliando.