A method for dicing a semiconductor wafer into chips is provided, in which the peeling-off of a hard protective film on the surface of a semiconductor substrate may be avoided. Two parallel grooves are formed at a dicing area around a chip by an etching process. Then, SiO.sub.2 film is deposited on the GaAs substrate as a protective film. At this time, a bending portion at the interface between the protective films on the inner surface of the groove and the surface of the substrate. When the part between two grooves is cut by a dicing blade, a stress to the protective film caused by the edge of the blade is concentrated to the bending portion, resulting in a crack along the bending portion.

Een methode om een halfgeleiderwafeltje in spaanders wordt te dobbelen verstrekt, waarin schil-weg van een harde beschermende film op de oppervlakte van halfgeleider een substraat kan worden vermeden. Twee parallelle groeven worden gevormd bij een het dobbelen gebied rond een spaander door een etsproces. Dan, wordt de film SiO.sub.2 gedeponeerd op het GaAs substraat als beschermende film. Op dit moment, een buigend gedeelte bij de interface tussen de beschermende films op de binnenoppervlakte van de groef en de oppervlakte van het substraat. Wanneer het deel tussen twee groeven door een dobbelend blad wordt gesneden, is een spanning aan de beschermende film die door de rand van het blad wordt veroorzaakt geconcentreerd aan het buigende gedeelte, dat in een barst langs het buigende gedeelte resulteert.