A yield rate and a throughput of a semiconductor device can be increased when a large-diameter wafer having a reduced thickness is used. The semiconductor device is produced by using a wafer having a front surface on which circuits are formed and a back surface opposite to the front surface. A protective tape is applied to the front surface of the wafer. The wafer is mounted to a dicing tape via the protective tape, the dicing tape being spread on a wafer frame having a size larger than a diameter of the wafer. The back surface of the wafer is ground while the wafer is mounted on the dicing tape. The wafer is diced, after the wafer is ground, while the wafer is mounted on the dicing tape so as to form the semiconductor device by full-dicing.

Un taux de rendement et une sortie d'un dispositif de semi-conducteur peuvent être augmentés quand une gaufrette à large diamètre ayant une épaisseur réduite est employée. Le dispositif de semi-conducteur est produit en employant une gaufrette ayant une surface avant sur laquelle des circuits sont formés et une surface arrière vis-à-vis la surface avant. Une bande protectrice est appliquée à la surface avant de la gaufrette. La gaufrette est montée à une bande découpante par l'intermédiaire de la bande protectrice, la bande découpante étant écartée sur une armature de gaufrette ayant une taille plus grande qu'un diamètre de la gaufrette. La surface arrière de la gaufrette est rectifiée tandis que la gaufrette est montée sur la bande découpante. La gaufrette est découpée, après que la gaufrette soit rectifiée, alors que la gaufrette est montée sur la bande découpante afin de former le dispositif de semi-conducteur plein-en découpant.