The apparatus provides a temperature controlled environment for processing semiconductor wafers at elevated temperatures. A hot wall process chamber is used for the process steps. The process chamber includes three zones with independent temperature control capabilities. The apparatus is capable of rotating the wafer in addition to providing a gas flow velocity gradient above the wafer for improved temperature and processing uniformity results.

Der Apparat stellt ein Temperatur gesteuertes Klima für die Verarbeitung der Halbleiterplättchen bei erhöhten Temperaturen zur Verfügung. Ein heißer Wandprozeßraum wird für die Prozeßschritte benutzt. Der Prozeßraum schließt drei Zonen mit unabhängigen Temperaturreglerfähigkeiten ein. Der Apparat ist zum Drehen der Oblate zusätzlich zum Zur Verfügung stellen einer Gasfluss-Geschwindigkeit Steigung über der Oblate für verbesserte Temperatur und zur Verarbeitung von von Gleichförmigkeit Resultaten fähig.