In a magnetic random access memory circuit, the potential of all sense lines 121 to 124 are equalized, and the potential of all not-selected word lines 133, 135, 136 are equalized and the selected word line 134 is grounded so that a previously charged capacitor 114 is discharged by a current path passing from the capacitor 114 through a MOS transistor 118 maintaining the potential of the sense line 122 at a constant voltage lower than a break voltage, through the selected sense line 122, through the selected magneto-resistive element 142 and through the selected word line 134. Thus, a voltage applied to the magneto-resistive element is maintained at a level smaller than a voltage breaking the magneto-resistive elements or a voltage remarkably deteriorating the characteristics of the magneto-resistive elements because of a biasing effect when the tunnel magneto-resistive element is used, and on the other hand, a high precise and high speed reading can be realized.

Σε ένα μαγνητικό τυχαίο κύκλωμα μνήμης πρόσβασης, η δυνατότητα όλων των γραμμών αίσθησης 121 έως 124 εξισώνεται, και η δυνατότητα όλων των όχι-επιλεγμένων γραμμών 133 ..135 ..136 λέξης εξισώνεται και η επιλεγμένη γραμμή 134 λέξης στηρίζεται έτσι ώστε ένας προηγουμένως χρεωμένος πυκνωτής 114 απαλλάσσεται από μια τρέχουσα πορεία που περνά από τον πυκνωτή 114 μέσω μιας κρυσταλλολυχνίας 118 MOS διατηρώντας τη δυνατότητα της γραμμής 122 αίσθησης σε μια σταθερή τάση χαμηλότερη από μια τάση σπασιμάτων, μέσω της επιλεγμένης γραμμής 122 αίσθησης, μέσω του επιλεγμένου magneto-resistive στοιχείου 142 και μέσω της επιλεγμένης γραμμής 134, λέξης Κατά συνέπεια, μια τάση που εφαρμόζεται στο magneto-resistive στοιχείο διατηρείται σε επίπεδο μικρότερο από ένα σπάσιμο τάσης εντυπωσιακά επιδεινώνοντας τα χαρακτηριστικά των magneto-resistive στοιχείων λόγω μιας προκαταλαμβάνοντας επίδρασης όταν χρησιμοποιείται το magneto-resistive στοιχείο σηράγγων, και αφ' ετέρου, μια υψηλή ακριβής και υψηλή ανάγνωση ταχύτητας μπορεί να πραγματοποιηθεί.