An embodiment of the instant invention is a method of fabricating an electronic device formed on a semiconductor wafer, the method comprising the steps of: forming a conductive structure over the semiconductor substrate, the conductive structure comprised of an oxygen-sensitive conductor and having an exposed surface; oxidizing a portion of the conductive structure (step 313 of FIG. 1); and subjecting the conductive structure to a plasma which incorporates hydrogen or deuterium (step 315 of FIG. 1).

Een belichaming van de onmiddellijke uitvinding is een methode om een elektronisch apparaat te vervaardigen dat op een halfgeleiderwafeltje wordt gevormd, de methode die uit de stappen bestaat van: vormt een geleidende structuur over het halfgeleidersubstraat, de geleidende structuur die van een zuurstofgevoelige leider wordt samengesteld en hebbend een blootgestelde oppervlakte; het oxyderen van een gedeelte van de geleidende structuur (stap 313 van fig. 1); en onderwerpend de geleidende structuur aan een plasma dat waterstof of deuterium opneemt (stap 315 van fig. 1).