An abrasive composition for polishing a semiconductor device, comprising cerium oxide, a water-soluble organic compound having at least one group of --COOH, --COOM.sub.x (wherein M.sub.x is an atom or a functional group capable of substituting a H atom to form a salt), --SO.sub.3 H or --SO.sub.3 M.sub.Y (wherein M.sub.Y is an atom or a functional group capable of substituting a H atom to form a salt), and water a process for forming shallow trench isolations using this abrasive composition.

Une composition abrasive pour polir un dispositif de semi-conducteur, comportant l'oxyde de cérium, un composé organique hydrosoluble ayant au moins un groupe -- cooh, -- de COOM.sub.x (où M.sub.x est un atome ou un groupe fonctionnel capable de substituer un atome de H pour former un sel), -- SO.sub.3 H ou -- SO.sub.3 M.sub.Y (où M.sub.Y est un atome ou un groupe fonctionnel capable de substituer un atome de H pour former un sel), et arrosent un processus pour former des isolements peu profonds de fossé en utilisant cette composition abrasive.