In a method for forming a storage node contact, the inorganic SOG layer is deposited and heat-treated after forming a bit line having a conductive layer and a spacer on the semiconductor substrate and accordingly, there is an advantage that the density of the organic SOG layer embedded between the bit lines become lower than that of the organic SOG layer stacked on the bit lines. As a result, when performing the wet etching process, the speed for etching the inorganic SOG layer between the bit lines become very rapid, so that an artificial void is formed, an etching become very easier when performing a dry etching process of a deep storage node contact junction part. According to the present invention, the characteristic and yield of the semiconductor device become increased. Also, the present invention is very useful and effective because the high integration of the semiconductor device is possible.

En un método para formar un contacto del nodo del almacenaje, la capa inorgánica de SOG es depositada y sometida a un tratamiento térmico después de formar una línea del pedacito que tiene una capa conductora y un espaciador en el substrato del semiconductor y por consiguiente, hay una ventaja que se convierte la densidad de la capa orgánica de SOG encajó entre las líneas del pedacito más bajo que el de la capa orgánica de SOG apilada en las líneas del pedacito. Consecuentemente, al realizar el proceso mojado de la aguafuerte, la velocidad para grabar al agua fuerte la capa inorgánica de SOG entre las líneas del pedacito haga muy rápido, para formar un vacío artificial, una aguafuerte llegan a ser muy más fácil al realizar un proceso seco de la aguafuerte de una pieza profunda de la ensambladura del contacto del nodo del almacenaje. Según la actual invención, la característica y la producción del dispositivo de semiconductor se aumentan. También, la actual invención es muy útil y eficaz porque la alta integración del dispositivo de semiconductor es posible.