A thin film capacitor provides an interposer substrate between an integrated circuit die and an organic substrate. The interposer substrate includes a first conductive layer deposited on a base substrate layer. A portion of the first conductive layer provides a first electrode region serving as a first plate of the capacitor. Portions of a second conductive layer forming a second electrode region serving as a second plate of the capacitor. A dielectric layer is disposed between the first and second conductive layers to provide for capacitive regions between the first electrode region and the second electrode region. The base substrate layer and die may be based on similar semiconductor materials, such as Silicon or Gallium Arsenide, to provide an improved coefficient of thermal expansion match.

Um capacitor da película fina fornece uma carcaça do pino intermediário entre um dado do circuito integrado e uma carcaça orgânica. A carcaça do pino intermediário inclui uma primeira camada condutora depositada em uma camada baixa da carcaça. Uma parcela da primeira camada condutora fornece um primeiro serving da região do elétrodo como uma primeira placa do capacitor. Parcelas de uma segunda camada condutora que dá forma a um segundo serving da região do elétrodo como uma segunda placa do capacitor. Uma camada dieléctrica é disposta entre as primeiras e segundas camadas condutoras fornecer para regiões capacitivas entre a primeira região do elétrodo e a segunda região do elétrodo. A camada e o dado baixos da carcaça podem ser baseados em materiais similares do semicondutor, tais como o silicone ou o arsenieto de gallium, para fornecer um coeficiente melhorado do fósforo da expansão térmica.