A non-hermetic APD for operation in a moisture-containing ambient comprises an InP/InGaAsP-containing Group III-V compound semiconductor body and a p-n junction formed in the body. Typically the junction intersects a top surface of the body. A patterned dielectric layer is formed on the surface so as to cover at least those regions of the surface that are intersected by the junction. An electrode is formed in an opening in the dielectric layer so as to make electrical contact with one side of the junction. Importantly, the thickness of the dielectric layer is sufficient to reduce the leakage current through it to less than about 1 nA when the operating voltage is in the range of about 20-100 V. In accordance with a preferred embodiment, the thickness of the dielectric layer is greater than about 2 .mu.m when the applied voltage is in excess of about 20 V. Moreover, the composition of dielectric layer may be either inorganic (e.g., a silicon nitride) or a combination of inorganic and organic materials.

Een niet hermetische APD voor verrichting in moisture-containing omringend bestaat uit een InP/inGaAsP-Bevattende Groep IIIV het lichaam van de samenstellingshalfgeleider en een p-n verbinding die in het lichaam wordt gevormd. Typisch snijdt de verbinding een hoogste oppervlakte van het lichaam. Een gevormde diëlektrische laag wordt gevormd op de oppervlakte om minstens die gebieden van de oppervlakte te omvatten die door de verbinding worden gesneden. Een elektrode wordt gevormd in het openen in de diëlektrische laag om elektrocontact met één kant van de verbinding op te nemen. Belangrijk, volstaat de dikte van de diëlektrische laag om de lekkagestroom door het te verminderen dan minder ongeveer 1 nA wanneer het werkende voltage in het bereik van ongeveer 20-100 V is. Overeenkomstig een aangewezen belichaming, is de dikte van de diëlektrische laag groter dan ongeveer 2 mu.m wanneer het toegepaste voltage is meer dan ongeveer 20 V. Voorts kan de samenstelling van diëlektrische laag of anorganisch zijn (b.v., een siliciumnitride) of een combinatie anorganische en organische materialen.

 
Web www.patentalert.com

< Boat for organic and ceramic flip chip package assembly

< Long and short-chain cycloaliphatic epoxy resins with cyanate ester

> Method for cleaning semiconductor substrates

> Interposer substrate with low inductance capacitive paths

~ 00053