One aspect of the present invention relates to a method of forming a low k material layer on a semiconductor substrate, involving the steps of depositing a mixture containing a low k material and a casting solvent on the semiconductor substrate; optionally contacting the mixture with a transition solvent whereby the casting solvent is removed from the mixture to form a second mixture containing the low k material and the transition solvent; contacting the second mixture with a supercritical fluid whereby the transition solvent is removed from the second mixture; and permitting the supercritical fluid to evaporate thereby forming the low k material layer.

Ein Aspekt der anwesenden Erfindung bezieht auf einer Methode der Formung einer niedrigen k materiellen Schicht auf einem Halbleitersubstrat und bezieht die Schritte des Niederlegens einer Mischung mit ein, die ein niedriges k Material und ein Gußteillösungsmittel auf dem Halbleitersubstrat enthält; mit der Mischung mit einem Übergang Lösungsmittel beliebig in Verbindung treten, hingegen das Gußteillösungsmittel von der Mischung entfernt wird, um eine zweite Mischung zu bilden, die das niedrige k Material und das Übergang Lösungsmittel enthält; In Verbindung treten mit der zweiten Mischung mit einer überkritischen Flüssigkeit, hingegen das Übergang Lösungsmittel von der zweiten Mischung entfernt wird; und die überkritische Flüssigkeit ermöglichend zu verdunsten die niedrige k Materialschicht dadurch bildend.