Disclosed is a method of manufacturing a mask for conductive wirings in a semiconductor device, wherein the conductive wirings are formed on a semiconductor substrate of the semiconductor device, comprising the steps of: (a) calculating data for the entire regions of the semiconductor substrate on which the conductive wirings are formed; (b) reading the size, shape and position of the conductive wiring patterns for the conductive wirings to generate data for conductive wirings, and storing the generated conductive wirings data; (c) extending the conductive wirings data by a predetermined size to generate data for the extended conductive wirings; (d) subtracting the extended conductive wirings data from the data for the entire regions of the semiconductor substrate to calculate a differential data between the extended conductive wirings data and the entire regions data, and to generate data for dummy conductive wiring pattern; (e) adding the conductive wirings data to the dummy conductive wiring pattern data to form a pattern the size and position of which correspond to data obtained by the addition operation on the mask by using a clear field method.

Révélée est une méthode de fabriquer un masque pour les câblages conducteurs dans un dispositif de semi-conducteur, où les câblages conducteurs sont formés sur un substrat de semi-conducteur du dispositif de semi-conducteur, comportant les étapes de : (a) données calculatrices pour les régions entières du substrat de semi-conducteur sur lequel les câblages conducteurs sont formés ; (b) lisant la taille, la forme et la position des modèles conducteurs de câblage pour que les câblages conducteurs produisent des données pour les câblages conducteurs, et stocker les données conductrices produites de câblages ; (c) prolonger les données conductrices de câblages par une taille prédéterminée pour produire des données pour les câblages conducteurs prolongés ; (d) soustrayant les données conductrices prolongées de câblages des données pour les régions entières du substrat de semi-conducteur pour calculer des données différentielles entre les données conductrices prolongées de câblages et les données entières de régions, et pour produire des données pour le modèle conducteur factice de câblage ; (e) ajoutant les données conductrices de câblages aux données conductrices factices de modèle de câblage pour former un modèle la taille et la position dont correspondez aux données a obtenu par l'opération d'addition sur le masque en employant une méthode claire de champ.