A magnetic memory device for selectively writing one or more memory cells in the memory device includes a plurality of global write lines for selectively conveying a destabilizing current, the global write lines being disposed from the memory cells such that the destabilizing current passing through the global write lines does not destabilize unselected memory cells in the memory device, each global write line including a plurality of segmented write lines operatively connected thereto. The memory device further includes a plurality of segmented groups, each segmented group including a plurality of memory cells operatively coupled to a corresponding segmented write line, each segmented write line being disposed in relation to the plurality of corresponding memory cells such that the destabilizing current passing through the segmented write line destabilizes the corresponding memory cells for writing.

Un dispositivo di memoria magnetico per selettivamente la scrittura delle una o più cellule di memoria nel dispositivo di memoria include una pluralità di globale scrive le linee per selettivamente il trasporto della corrente di destabilizzazione, il globale scrive le linee che sono disposte dalle cellule di memoria tali che passare corrente di destabilizzazione con il globale scrive le linee non destabilizza le cellule di memoria non selezionate nel dispositivo di memoria, ogni globale scrive la linea compreso una pluralità di segmentato di scrive le linee collegate attivamente a ciò. Il dispositivo di memoria ulteriore include una pluralità di gruppi segmentati, ogni gruppo segmentato compreso una pluralità di cellule di memoria accoppiate attivamente a corrispondere segmentato scrive la linea, ogni segmentata scrive la linea che è disposta rispetto alla pluralità di cellule di memoria corrispondenti tali che passare corrente di destabilizzazione con segmentato scrive la linea destabilizza le cellule di memoria corrispondenti per scrittura.