An adjustable current mode differential sense amplifier is disposed to be in communication with a selected memory cell and a reference cell having a predetermined value. The amplifier is able to sense current and voltage changes associated with the selected memory cell and compare them to current and voltage changes associated with the reference cell. The operating point of the sensing amplifier may be changed by modifying threshold voltages related to the back gate bias applied to selected transistors in the amplifier. This adjusting capability enables currents or voltages of the sense amplifier to be set when a first bias voltage is applied to a selected memory cell in order to maximize the sensitivity of the amplifier. When a second bias voltage is applied to the memory and reference cells in order to determine the memory cell value, the amplifier is able to sense slight changes in the currents or voltages associated with the selected memory cell and the reference cell and compare them to determine the state of the memory cell. This increased sensitivity enables the amplifier to have a substantially increased dynamic range without introducing components that might adversely affect the memory circuitry parameters. The memory cell array being sensed has equi-potential isolation for all unselected memory cells, thereby minimizing sneak currents through the unselected memory cells.

Ένας διευθετήσιμος τρέχων ενισχυτής αίσθησης τρόπου διαφορικός διατίθεται για να είναι στην επικοινωνία με ένα επιλεγμένο κύτταρο μνήμης και ένα κύτταρο αναφοράς που έχουν μια προκαθορισμένη αξία. Ο ενισχυτής είναι σε θέση να αισθανθεί τις αλλαγές ρευμάτων και τάσης που συνδέονται με το επιλεγμένο κύτταρο μνήμης και να τις συγκρίνει με τις αλλαγές ρευμάτων και τάσης που συνδέονται με το κύτταρο αναφοράς. Το λειτουργούν σημείο του αισθαμένος ενισχυτή μπορεί να αλλάξουν με την τροποποίηση των τάσεων κατώτατων ορίων σχετικών με την πίσω προκατάληψη πυλών που εφαρμόζεται στις επιλεγμένες κρυσταλλολυχνίες στον ενισχυτή. Αυτή η ικανότητα ρύθμισης επιτρέπει στα ρεύματα ή τις τάσεις του ενισχυτή αίσθησης για να τεθεί όταν εφαρμόζεται μια πρώτη προκατειλημμένη τάση σε ένα επιλεγμένο κύτταρο μνήμης προκειμένου να μεγιστοποιηθεί η ευαισθησία του ενισχυτή. Όταν μια δεύτερη προκατειλημμένη τάση εφαρμόζεται στα κύτταρα μνήμης και αναφοράς προκειμένου να καθοριστεί η αξία κυττάρων μνήμης, ο ενισχυτής είναι σε θέση να αισθανθεί τις μικρές αλλαγές στα ρεύματα ή τις τάσεις που συνδέονται με το επιλεγμένο κύτταρο μνήμης και το κύτταρο αναφοράς και να τις συγκρίνει για να καθορίσει την κατάσταση του κυττάρου μνήμης. Αυτή η αυξανόμενη ευαισθησία επιτρέπει στον ενισχυτή για να έχει μια αισθητά αυξανόμενη δυναμική περιοχή χωρίς εισαγωγή των συστατικών που να έχουν επιπτώσεις στις παραμέτρους στοιχείων κυκλώματος μνήμης. Η σειρά κυττάρων μνήμης που αισθάνεται έχει την ισοδυναμική απομόνωση για όλα τα unselected κύτταρα μνήμης, με αυτόν τον τρόπο ελαχιστοποιώντας γλιστρήστε τα ρεύματα μέσω των unselected κυττάρων μνήμης.