There is provided an active matrix type semiconductor display device which realizes low power consumption and high reliability. In the active matrix type semiconductor display device of the present invention, a counter electrode is divided into two, different potentials are applied to the two counter electrodes, respectively and inversion driving is carried out each other. Since a potential of an image signal can be made low by doing so, it is possible to lower a voltage necessary for operation of a driver circuit. As a result, it is possible to realize improvement of reliability of an element such as a TFT and reduction of consumed electric power. Moreover, since it is possible to lower a voltage of a timing pulse supplied by the driver circuit, a booster circuit can be omitted, and reduction of an area of the driver circuit can be realized.

Er verstrekt een actief matrijstype apparaat van de halfgeleidervertoning dat wordt lage machtsconsumptie en hoge betrouwbaarheid realiseert. In het actieve matrijstype apparaat van de halfgeleidervertoning van de onderhavige uitvinding, is een tegenelektrode verdeeld in twee, wordt het verschillende potentieel toegepast op de twee tegenelektroden, respectievelijk en inversie het drijven wordt uitgevoerd elkaar. Aangezien een potentieel van een beeldsignaal kan laag worden gemaakt door dit te doen, is het mogelijk om een voltage te verminderen noodzakelijk voor verrichting van een bestuurderskring. Dientengevolge, is het mogelijk om verbetering van betrouwbaarheid van een element zoals een TFT en een vermindering van verbruikte stroom te realiseren. Voorts aangezien het mogelijk is om een voltage van een timingsimpuls te verminderen die door de bestuurderskring wordt geleverd, kan een hulpkring worden weggelaten, en de vermindering van een gebied van de bestuurderskring kan worden gerealiseerd.

 
Web www.patentalert.com

< Magnetically-packaged optical MEMs device

< System and method for assessing transmurality of ablation lesions

> Prober for electrical measurement of potentials in the interior of ultra-fine semiconductor devices, and method of measuring electrical characteristics with said prober

> Laser marking system and method of energy control

~ 00053