A method for forming a patterned layer within a microelectronics fabrication. There is first provided a substrate employed within a microelectronics fabrication. There is then formed over the substrate an oxygen containing plasma etchable layer, where the oxygen containing plasma etchable layer is formed of a carbon and fluorine containing material. There is then formed over the oxygen containing plasma etchable layer a mask layer. There is then etched through use an oxygen containing plasma etch method while employing the mask layer as an etch mask layer the oxygen containing plasma etchable layer to form a patterned oxygen containing plasma etched layer, where the oxygen containing plasma etch method employs an etchant gas composition comprising an oxygen containing etchant gas and a fluorine containing etchant gas.

Un metodo per formare uno strato modellato all'interno di un montaggio di microelettronica. In primo luogo è fornito un substrato impiegato all'interno di un montaggio di microelettronica. Allora è formato sopra il substrato un ossigeno che contiene lo strato etchable del plasma, dove l'ossigeno che contiene lo strato etchable del plasma è formato di un carbonio e di un fluoro che contengono il materiale. Allora è formato sopra l'ossigeno che contiene lo strato etchable del plasma un lo strato della mascherina. Allora è inciso con uso un ossigeno che contiene il metodo incissione all'acquaforte del plasma mentre impiegava lo strato della mascherina come strato della mascherina incissione all'acquaforte l'ossigeno che contiene lo strato etchable del plasma per formare un ossigeno modellato che contiene il plasma ha inciso lo strato all'acquaforte, dove l'ossigeno che contiene il metodo incissione all'acquaforte del plasma impiega una composizione etchant nel gas che contiene un ossigeno che contiene il gas etchant e un fluoro che contiene il gas etchant.