Nanocomposite thin films with low dielectric constants are made by the simultaneous deposition of an oxide dielectric and an organic polymer at near room temperatures. Suitable oxides include SiO.sub.2, and suitable organic polymers include poly(chloro-para-xylylene). The two dielectric materials, when deposited, form nanocomposites characterized by nanometer-sized domains of dielectric material. The nanocomposite thin films of this invention are useful as dielectric layers for interlevel dielectric (ILD) and intermetal dielectric (IMD) dielectrics in the manufacture of semiconductor devices as well as for thin films for flat panel displays, food wraps, hybrid ceramics, glass, hard disk drives, and optical disk drives. Additionally, the invention comprises semiconductor devices and semiconductor chips made incorporating nanocomposites deposited by chemical vapor deposition.

Nanocomposite Dünnfilme mit niedrigen Dielektrizitätskonstanten werden durch die simultane Absetzung eines Oxidnichtleiters und des organischen Polymer-Plastiks bei den nahen Raumtemperaturen gebildet. Verwendbare Oxide schließen SiO.sub.2 mit ein und verwendbare organische Polymer-Plastiken schließen Poly(chloropunkte-xylylene) ein. Die zwei dielektrischen Materialien, wenn Sie, die Form nanocomposites niedergelegt werden, die durch Nanometer-sortierte Gebiete des dielektrischen Materials gekennzeichnet werden. Die nanocomposite Dünnfilme dieser Erfindung sind als dielektrische Schichten für interlevel Nichtleiter (ILD) und intermetal dielektrische Dielektrika (IMD) in der Herstellung der Halbleiterelemente sowie für Dünnfilme für flache Verkleidung Anzeigen, Nahrungsmittelverpackungen, hybride Keramik, Glas, Festplattenlaufwerke und optische Laufwerke nützlich. Zusätzlich enthält die Erfindung die Halbleiterelemente und Halbleiterspäne, die die verbindenen nanocomposites gebildet werden, die durch Absetzung des chemischen Dampfes niedergelegt werden.