A method of providing even nucleation between silicon and oxide surfaces for growing uniformly thin silicon nitride layers used in semiconductor devices. First, a nonconductive nitride-nucleation enhancing monolayer is formed over a semiconductor assembly having both nitridation receptive and resistive materials. For purposes of the present invention, a nitride-nucleation enhancing monolayer is a material that will readily accept the bonding of nitrogen atoms to the material itself. Next, a silicon nitride layer is formed over the nonconductive nitride-nucleation enhancing monolayer. The nonconductive nitride-nucleation enhancing monolayer provides even nucleation over both the nitridation receptive material and the nitridation resistive material for silicon nitride, thereby allowing for the growth of a uniformly thin nitride layer.

Μια μέθοδος ακόμη και το σχηματισμό φύτρων μεταξύ των επιφανειών πυριτίου και οξειδίων για ομοιόμορφα τα λεπτά στρώματα νιτριδίων πυριτίου που χρησιμοποιούνται να αυξηθεί στις συσκευές ημιαγωγών. Κατ' αρχάς, ένας nonconductive νιτρίδιο-σχηματισμός φύτρων που ενισχύει monolayer διαμορφώνεται πέρα από μια συνέλευση ημιαγωγών που έχει και τα δεκτικά και ανθεκτικά υλικά nitridation. Για λόγους της παρούσας εφεύρεσης, ένας νιτρίδιο-σχηματισμός φύτρων που ενισχύει monolayer είναι ένα υλικό που θα δεχτεί εύκολα τη σύνδεση των ατόμων αζώτου το ίδιο στο υλικό. Έπειτα, ένα στρώμα νιτριδίων πυριτίου διαμορφώνεται πέρα από το nonconductive νιτρίδιο-σχηματισμό φύτρων που ενισχύει monolayer. Ο nonconductive νιτρίδιο-σχηματισμός φύτρων που ενισχύει monolayer παρέχει ακόμη και το σχηματισμό φύτρων και πέρα από το δεκτικό υλικό nitridation και πέρα από το ανθεκτικό υλικό nitridation για το νιτρίδιο πυριτίου, με αυτόν τον τρόπο επιτρέποντας την αύξηση ενός ομοιόμορφα λεπτού στρώματος νιτριδίων.