The invention provides a method for forming a metal nitride film by depositing a metal oxide film on the substrate and exposing the metal oxide film to a nitrating gas to densify the metal oxide and form a metal nitride film. The metal oxide film is deposited by the decomposition of a chemical vapor deposition precursor. The nitrating step comprises exposing the metal oxide film to a thermally or plasma enhanced nitrating gas preferably comprising nitrogen, oxygen, and ammonia. The invention also provides a process for forming a liner/barrier scheme for a metallization stack by forming a metal nitride layer over the substrate by the densification of a metal oxide layer by a nitrating gas depositing a metal liner layer. Optionally, a metal liner layer may be deposited over substrate prior to the metal nitride layer to forma metal/metal nitride liner/barrier scheme. The invention further provides a process to form a microelectronic device comprising forming a first electrode, forming a metal nitride layer over the first electrode by densifying a metal oxide layer by a nitrating gas to form a metal nitride layer, depositing a dielectric layer over the metal nitride layer, and forming a second electrode over the dielectric layer. Alternatively, the metal nitride film may comprise the first and second electrodes.

A invenção fornece um método dando forma a uma película do nitride do metal depositando uma película do óxido de metal na carcaça e expondo a película do óxido de metal a um gás nitrating densify o óxido de metal e dê forma a uma película do nitride do metal. A película do óxido de metal é depositada pelo decomposition de um precursor do deposition de vapor químico. A etapa nitrating compreende expo a película do óxido de metal ao tèrmica ou o plasma realçada nitrating o gás que compreende preferivelmente o nitrogênio, o oxigênio, e a amônia. A invenção fornece também um processo dando forma a um esquema de liner/barrier para uma pilha do metallization dando forma a uma camada do nitride do metal sobre a carcaça pelo densification de uma camada do óxido de metal por um gás nitrating que deposita uma camada do forro do metal. Opcionalmente, uma camada do forro do metal pode ser depositada sobre a carcaça antes da camada do nitride do metal ao esquema do nitride liner/barrier do forma metal/metal. A invenção mais adicional fornece um processo para dar forma a um dispositivo microelectronic que compreende dando forma a um primeiro elétrodo, dando forma a um excesso da camada do nitride do metal o primeiro elétrodo densifying uma camada do óxido de metal por um gás nitrating para dar forma a uma camada do nitride do metal, depositando uma camada dieléctrica sobre a camada do nitride do metal, e dando forma a um segundo elétrodo sobre a camada dieléctrica. Alternativamente, a película do nitride do metal pode compreender os primeiros e segundos elétrodos.