A method for the formation of rhodium films with good step coverage is disclosed. Rhodium films are formed by a low temperature atomic layer deposition technique using a first gas of rhodium group metal precursor followed by an oxygen exposure. The invention provides, therefore, a method for forming smooth and continuous rhodium films which also have good step coverage and a reduced carbon content.

Μια μέθοδος για το σχηματισμό των ταινιών ρόδιου με την καλή κάλυψη βημάτων αποκαλύπτεται. Οι ταινίες ρόδιου διαμορφώνονται από μια ατομική τεχνική απόθεσης στρώματος χαμηλής θερμοκρασίας χρησιμοποιώντας έναν πρώτο αέριο του προδρόμου μετάλλων ομάδας ρόδιου που ακολουθείται από μια έκθεση οξυγόνου. Η εφεύρεση παρέχει, επομένως, μια μέθοδο για τις ομαλές και συνεχείς ταινίες ρόδιου που έχουν επίσης την καλή κάλυψη βημάτων και μια μειωμένη περιεκτικότητα σε άνθρακα.