The inventive thin-film DC-driving electroluminescent device (ELD) is characterized by the thin-film current control layer which is inserted between a thin film phosphor layer and metal electrodes. This kind of ELD has the advantages of having a lower operation voltage than that of the conventional thin-film AC ELD and a higher resolution than that of the conventional thin-film/powder hybrid DC ELD. The thin-film current control layer acts as an energy barrier layer which supplies energetic electrons into said phosphor layer by a field-assistant injection of electron, and a current-limiting layer which prevents an electric field breakdown of said electroluminescent device caused by an excess current flow. The current control layer is embodied with a multilayered thin film laminated by an alternate deposition of metal oxides. In another embodiment, the current control layer consists of both an energy barrier layer and a current-limiting layer, separately formed.

Het vindingrijke thin-film gelijkstroom-Drijvend electroluminescent apparaat (ELD) wordt gekenmerkt door de thin-film huidige controlelaag die tussen een laag en het metaalelektroden van de dunne filmfosfoor wordt opgenomen. Dit soort ELD heeft de voordelen om een lager verrichtingsvoltage te hebben dan dat van conventionele thin-film AC ELD en een hogere resolutie dan dat van conventionele thin-film/hybride DC ELD poedert. De thin-film huidige controlelaag doet dienst als een laag van de energiebarrière die energieke elektronen in bovengenoemde fosfoorlaag door een gebied-hulpinjectie van elektron leveren, en een huidig-beperkt laag die een elektrisch veld analyse van bovengenoemd electroluminescent apparaat verhindert die door een bovenmatige huidige stroom wordt veroorzaakt. De huidige controlelaag wordt met een multilayered dunne film opgenomen die door een afwisselend deposito van metaaloxyden wordt gelamineerd. In een andere belichaming, bestaat de huidige controlelaag uit zowel een gevormde laag van de energiebarrière als een huidig-beperkt laag, afzonderlijk.

 
Web www.patentalert.com

< Seedless barrier layers in integrated circuits and a method of manufacture therefor

< Method for manufacturing a gate structure incorporating therein aluminum oxide as a gate dielectric

> Even nucleation between silicon and oxide surfaces for thin silicon nitride film growth

> Method for forming cell capacitor for high-integrated DRAMs

~ 00099