A MRAM configuration in which the word lines have a low-resistance connection to the programming lines and the sources of the select transistors can be connected to the potential of the gates or the programming line. In this manner, the select transistors can be turned off reliably during programming or writing, but the intention being that no area will be needed for an additional metal line for a low-resistance connection or the gate line.

Uma configuração de MRAM em que as linhas da palavra têm uma conexão da baixo-resistência às linhas de programação e às fontes dos transistor seletos pode ser conectada ao potencial das portas ou da linha de programação. Nesta maneira, os transistor seletos podem ser desligados confiantemente durante a programação ou a escrita, mas a intenção que é que nenhuma área será needed para uma linha adicional do metal para uma conexão da baixo-resistência ou a linha da porta.