To provide a semiconductor device capable of preventing the bowing of the substrate, and having a semiconductor layer of a III-V group compound of a nitride system with excellent crystallinity. The semiconductor layer of the III-V group compound of the nitride system whose thickness is equal to or less than 8 .mu.m, is provided onto a substrate made of sapphire. This reduces the bowing of the substrate due to differences in a thermal expansion coefficient and a lattice constant between the substrate and the semiconductor layer of the III-V group compound of the nitride system. An n-side contact layer forming the semiconductor layer of the III-V group of the nitride system has partially a lateral growth region made by growing in a lateral direction from a crystalline part of a seed crystal layer. In the lateral growth region, dislocation density restricts low, therefore, regions corresponding to the lateral growth region of each layer formed onto the n-side contact layer has excellent crystallinity.

Обеспечить прибора на полупроводниках способный предотвращать bowing субстрата, и иметь слой полупроводника смеси группы III-V системы нитрида с превосходной кристалличностью. Слой полупроводника смеси группы III-V системы нитрида толщина равна к или меньш mu.m чем 8, обеспечен на субстрат сделанный сапфира. Это уменьшает bowing субстрата должного к разницам в коэффициенте термального расширения и решетке постоянн между субстратом и слоем полупроводника смеси группы III-V системы нитрида. Слой контакта н-storony формируя слой полупроводника группы в составе III-V система нитрида имеет частично боковую зону роста сделанную путем расти в боковом направлении от кристаллической части слоя кристалла семени. В боковой зоне роста, плотность вывихивания ограничивает низкий уровень, поэтому, зоны соответствуя к боковой зоне роста каждого слоя сформированного на слой контакта н-storony имеют превосходную кристалличность.