A method of fabricating a MRAM device with a taper comprising the steps of
providing a substrate, forming a dielectric region with positioned on the
substrate, patterning and isotropically etching through the dielectric
region to the substrate to form a trench, depositing the MRAM device
within the trench wherein the MRAM device includes a first ferromagnetic
region with a width positioned on the substrate, a non-ferromagnetic
spacer layer with a width positioned on the first ferromagnetic region,
and a second ferromagnetic region with a width positioned on the
non-ferromagnetic spacer layer wherein the taper is formed by making the
width of the first ferromagnetic region greater than the width of the
non-ferromagnetic spacer layer, and the width of the non-ferromagnetic
spacer layer greater than the width of the second ferromagnetic region so
that the first ferromagnetic region is separated from the second
ferromagnetic region.
Eine Methode des Fabrizierens einer MRAM Vorrichtung mit einem Kegelzapfen, der die Schritte vom Versehen eines Substrates, eine dielektrische Region bildend mit in Position gebracht auf das Substrat, patterning und durch die dielektrische Region isotropically ätzend zum Substrat, um einen Graben, die MRAM Vorrichtung innerhalb des Grabens, worin die enthält MRAM Vorrichtung eine erste ferromagnetische Region mit einer Breite, die auf einschließt das Substrat, eine in Position gebracht wird nicht-ferromagnetische Distanzscheibe Schicht mit einer Breite niederlegend zu bilden, die auf die erste ferromagnetische Region und eine zweite ferromagnetische Region mit einer Breite in Position gebracht wurde, brachte auf die nicht-ferromagnetische Distanzscheibe Schicht, worin der Kegelzapfen gebildet wird, indem man die Breite der ersten ferromagnetischen Region grösser bildet, als die Breite der nicht-ferromagnetischen Distanzscheibe Schicht in Position, und die Breite der nicht-ferromagnetischen Distanzscheibe Schicht grösser als die Breite der zweiten ferromagnetischen Region, damit die erste ferromagnetische Region von der zweiten ferromagnetischen Region getrennt wird.
