A magnetic device including at least a memory cell having a first magnetic layer with a fixed magnetization direction. The first magnetic layer spin polarizes a writing current of electrons. The memory cell includes a second magnetic layer having a three-layered stack with a variable magnetization direction. An insulating or semi-conduction layer is formed between the first and second magnetic layers. The variable magnetization direction is oriented by spins of a spin polarized writing current. The three-layered stack includes two magnetic layers separated by a non-magnetic conducting layer. The first magnetic layer aligns the variable magnetization direction with the fixed magnetization direction by directing an incident writing current of electrons perpendicular through the first magnetic layer and then perpendicular through the second magnetic layer. The first magnetic layer opposes the variable magnetization direction with the fixed magnetization direction by directing another incident writing current of electrons perpendicular through the second magnetic layer and then perpendicular through the first magnetic layer to.

Eine magnetische Vorrichtung einschließlich mindestens eine Speicherzelle, die eine erste magnetische Schicht mit einer örtlich festgelegten Magnetisierung Richtung hat. Die erste magnetische Schichtdrehbeschleunigung polarisiert einen Schreiben Strom der Elektronen. Die Speicherzelle schließt eine zweite magnetische Schicht ein, die einen drei-überlagerten Stapel mit einer variablen Magnetisierung Richtung hat. Eine Isolieren oder Halbübertragung Schicht wird zwischen den ersten und zweiten magnetischen Schichten gebildet. Die variable Magnetisierung Richtung wird durch Drehbeschleunigungen eines Drehbeschleunigung polarisierten Schreiben Stromes orientiert. Der drei-überlagerte Stapel schließt zwei magnetische Schichten ein, die durch eine antimagnetische Leitschicht getrennt werden. Die erste magnetische Schicht richtet die variable Magnetisierung Richtung mit der örtlich festgelegten Magnetisierung Richtung aus, indem sie einen Ereignisschreiben Strom der Elektronen verweist, die durch die erste magnetische Schicht und dann das Senkrechte durch die zweite magnetische Schicht senkrecht sind. Die erste magnetische Schicht setzt der variablen Magnetisierung Richtung mit der örtlich festgelegten Magnetisierung Richtung entgegen, indem sie einen anderen Ereignisschreiben Strom der Elektronen verweist, die durch die zweite magnetische Schicht und dann das Senkrechte durch die erste magnetische Schicht auf senkrecht sind.