Selecting circuits for columns of an array of memory cells are used to hold read data or write data of the memory cells. The memory cells may be multistate memory cells. There is a shift register chain, having a stage for columns of the array. A strobe pulse is shifted through this shift register. The strobe points, with each clock, at and enables a different selecting circuit in sequence. That particular selecting circuit that has been enabled by the strobe will then perform a certain function. In a read mode, the selected selecting circuit will send the stored information through to the output buffer for output from the integrated circuit. And while in a programming mode, the selected selecting circuit will receive data from an input buffer. This data will be written into a memory cell.

Selecterend kringen voor kolommen van een serie van geheugencellen worden gebruikt om gelezen gegevens te houden of gegevens van de geheugencellen te schrijven. De geheugencellen kunnen multistate geheugencellen zijn. Er is een ketting van het verschuivingsregister, die een stadium voor kolommen van de serie heeft. Een stroboscoopimpuls wordt verplaatst door dit verschuivingsregister. De stroboscoop richt, met elke klok, bij en laat de één na de ander een verschillende selecterende kring toe. Die bepaalde selecterende kring die door de stroboscoop is toegelaten zal dan een bepaalde functie uitoefenen. Op een gelezen wijze, zal de geselecteerde selecterende kring door de opgeslagen informatie naar de outputbuffer voor output van de geïntegreerde schakeling verzenden. En terwijl op een programmeringswijze, zal de geselecteerde selecterende kring gegevens van een inputbuffer ontvangen. Dit gegeven zal in een geheugencel worden geschreven.

 
Web www.patentalert.com

< Memory device and method for dynamic bit inversion

< Three-layered stacked magnetic spin polarization device with memory

> High density memory sense amplifier

> Magnetoresistive memory and method for reading a magnetoresistive memory

~ 00070