A magnetoresistive memory includes magnetoresistive memory cells disposed in a plurality of rows and/or columns. A bit line is connected to first poles of the memory cells of a column. A word line is connected to second poles of the memory cells of a row. A read voltage source is separately connectable to first ends of the word lines. A voltage evaluator has at least one input that is separately connectable to first ends of the bit lines via an evaluation line. A first terminating resistor branches from the evaluation line. An impedance converter has an input connected to the evaluation line and has an output separately connectable to second ends of the bit lines and word lines. The invention also relates to a method of reading magnetoresistive memories.

Μια magnetoresistive μνήμη περιλαμβάνει τα magnetoresistive κύτταρα μνήμης που διατίθενται σε μια πολλαπλότητα των σειρών ή/και των στηλών. Μια γραμμή κομματιών συνδέεται με τους πρώτους πόλους των κυττάρων μνήμης μιας στήλης. Μια γραμμή λέξης συνδέεται με τους δεύτερους πόλους των κυττάρων μνήμης μιας σειράς. Μια διαβασμένη πηγή τάσης είναι χωριστά συνδέσιμη στις πρώτες άκρες των γραμμών λέξης. Ένας εκτιμητής τάσης εισάγει τουλάχιστον το ένα που είναι χωριστά συνδέσιμο στις πρώτες άκρες των γραμμών κομματιών μέσω μιας γραμμής αξιολόγησης. Ένας πρώτος ολοκληρώνοντας αντιστάτης διακλαδίζεται από τη γραμμή αξιολόγησης. Ένας μετατροπέας σύνθετης αντίστασης συνδέει μια εισαγωγή με τη γραμμή αξιολόγησης και έχει μια παραγωγή χωριστά συνδέσιμη στις δεύτερες άκρες των γραμμών κομματιών και των γραμμών λέξης. Η εφεύρεση αφορά επίσης μια μέθοδο τις magnetoresistive μνήμες.