A magneto-resistive memory cell and a method of forming the memory cell, includes a substrate, a single crystalline semiconductor diode formed in the substrate; and a first thin film conductor recessed in the substrate, and a second thin film conductor formed above a magnetic tunnel junction formed on the diode. The diode and the first thin film conductor share a non-planar common surface, such that the metal tunnel junction is a predetermined distance from the thin film conductor.

Une cellule de mémoire magnétorésistante et une méthode de former la cellule de mémoire, inclut un substrat, une diode cristalline simple de semi-conducteur formée dans le substrat ; et un premier conducteur de la couche mince a enfoncé dans le substrat, et un deuxième conducteur de la couche mince a formé au-dessus d'une jonction magnétique de tunnel formée sur la diode. La diode et la première part de conducteur de la couche mince une surface commune non-planaire, telle que la jonction de tunnel en métal est une distance prédéterminée du conducteur de la couche mince.