A sense amplifier is provided for reading data in a multiple-state memory cell of a resistive memory array in response to a read voltage applied across the sensed memory cell, including a differential amplifier having first and second input nodes. A sense circuit determines the current in the memory cell with the read voltage applied thereto and applies a sense current representative of the memory cell current to the first input node of the differential amplifier. A reference circuit has first and second resistive elements for applying a reference current to the second input node of the differential amplifier to provide a reference value against which to compare the sense current to determine the state of the memory cell. The first resistive element has a resistance representative of a first state of the memory cell, and the second resistive element has a resistance representative of a second state of the memory cell. A voltage source for applying the read voltage across the first and second resistive elements to generate a reference current by averaging the currents through the first and second resistive elements. A first translator transistor applies the sense current to the first node of the differential amplifier. A second translator transistor applies the reference current to the second node of the differential amplifier. A comparator circuit is used to compare the signals at the first and second input nodes of the differential amplifier to provide an output indicative of the state of the sensed memory cell.

Un amplificatore di senso è fornito per i dati protetti in una cellula di memoria di multiple-dichiarare di un allineamento resistente di memoria in risposta ad una tensione indicata applicata attraverso la cellula di memoria percepita, compreso un amplificatore differenziale che hanno in primo luogo ed i secondi nodi dell'input. Un circuito di senso determina la corrente nella cellula di memoria con la tensione indicata applicata a ciò ed applica un rappresentante corrente di senso della corrente delle cellule di memoria al primo nodo dell'input dell'amplificatore differenziale. Un circuito di riferimento ha elementi in primo luogo ed in secondo luogo resistenti per l'applicazione della corrente di riferimento al secondo nodo dell'input dell'amplificatore differenziale per fornire un valore di riferimento contro cui confrontare la corrente di senso per determinare il dichiarare della cellula di memoria. Il primo elemento resistente fa ad un rappresentante di resistenza dichiarare di un primo della cellula di memoria ed il secondo elemento resistente fa ad un rappresentante di resistenza dichiarare di un secondo della cellula di memoria. Una fonte di tensione per l'applicazione della tensione colta attraverso i primi e secondi elementi resistenti per generare una corrente di riferimento avendo una media delle correnti attraverso i primi e secondi elementi resistenti. Un primo transistore del traduttore applica la corrente di senso al primo nodo dell'amplificatore differenziale. Un secondo transistore del traduttore applica la corrente di riferimento al secondo nodo dell'amplificatore differenziale. Un circuito di comparatore è utilizzato per confrontare i segnali ai primi e secondi nodi dell'input dell'amplificatore differenziale fornire un'uscita indicativa del dichiarare della cellula di memoria percepita.