A memory device includes a memory array having a substrate, an array of memory cells disposed over the substrate, row conductors coupled to the memory cells, and column conductors coupled to the memory cells. The memory device also includes current sources that generate variable write currents in response to temperature changes in the memory array. The variable write currents are generated to accommodate the change in coercivities of the memory cells as the temperature of the array changes. A current source can include a temperature sensor that provides a continuous, immediate output to the current sensor to ensure accurate adjustment of a write current generated by the current source. There is no need to halt operation of the memory device to calibrate the current source. In addition, the current source provides an accurate adjustment to the write current because the temperature used by the temperature sensor to generate the output may be taken contemporaneously with generation of the write current.

Un dispositivo de memoria incluye un arsenal de la memoria que tiene un substrato, un arsenal de células de memoria dispuestas sobre el substrato, los conductores de la fila juntados a las células de memoria, y los conductores de la columna juntados a las células de memoria. El dispositivo de memoria también incluye las fuentes actuales que generan variable escriben corrientes en respuesta a cambios de temperatura en el arsenal de la memoria. El variables escriben corrientes se generan para acomodar el cambio en los coercivities de las células de memoria mientras que la temperatura del arsenal cambia. Una fuente actual puede incluir un sensor de temperatura que proporcione una salida continua, inmediata al sensor actual para asegurar el ajuste exacto de una corriente de escribir generada por la fuente actual. No hay necesidad de parar la operación del dispositivo de memoria para calibrar la fuente actual. Además, la fuente actual proporciona un ajuste exacto a la corriente de escribir porque la temperatura usada por el sensor de temperatura para generar la salida se puede tomar contemporaneously con la generación de la corriente de escribir.

 
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< Diode connected to a magnetic tunnel junction and self aligned with a metallic conductor and method of forming the same

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> Electromechanical memory having cell selection circuitry constructed with nanotube technology

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