A memory device and method for storing bits in a memory array is provided. In one preferred embodiment, a memory device is provided comprising a plurality of memory cells that are in a first digital state and can be switched to a second digital state. A plurality of bits to be stored in the memory array are provided, and if the plurality of bits comprise more bits in the second digital state than in the first digital state, the plurality of bits are inverted before being stored in the memory array. In another preferred embodiment, a memory device is provided comprising a memory array and bit inversion circuitry. In yet another preferred embodiment, a plurality of bits are inverted before being stored in a memory array if the plurality of bits comprise more bits in a non-preferred digital state than in a preferred digital state.

Um dispositivo e um método de memória para armazenar bocados em uma disposição da memória são fornecidos. Em um preferiu a incorporação, um dispositivo de memória é fornecido que compreende um plurality das pilhas de memória que estão em um primeiro estado digital e podem ser comutadas a um segundo estado digital. Um plurality dos bocados a ser armazenados na disposição da memória é fornecido, e se o plurality dos bocados compreender mais bocados no segundo estado digital do que no primeiro estado digital, o plurality dos bocados é invertido antes de ser armazenado na disposição da memória. Em uma outra incorporação preferida, um dispositivo de memória é fornecido que compreende uma disposição da memória e mordeu circuitos do inversion. Em contudo uma outra incorporação preferida, um plurality dos bocados está invertida antes de ser armazenado em uma disposição da memória se o plurality dos bocados compreender mais bocados em um estado digital não preferencial do que em um estado digital preferido.