A semiconductor memory device comprises memory cells, a bitline connected to the memory cells, a read circuit including a precharge circuit, and a first transistor connected between the bitline and the read circuit, wherein a first voltage is applied to a gate of the first transistor when the precharge circuit precharges the bitline, and a second voltage which is different from the first voltage is applied to the gate of the first transistor when the read circuit senses a change in a voltage of the bitline.

Μια συσκευή μνήμης ημιαγωγών περιλαμβάνει τα κύτταρα μνήμης, ένα bitline που συνδέεται με τα κύτταρα μνήμης, ένα διαβασμένο κύκλωμα συμπεριλαμβανομένου ενός precharge κυκλώματος, και μια πρώτη κρυσταλλολυχνία που συνδέεται μεταξύ του bitline και του διαβασμένου κυκλώματος, όπου μια πρώτη τάση εφαρμόζεται σε μια πύλη της πρώτης κρυσταλλολυχνίας όταν προφορτίζει το precharge κύκλωμα το bitline, και μια δεύτερη τάση που είναι διαφορετική από την πρώτη τάση εφαρμόζεται στην πύλη της πρώτης κρυσταλλολυχνίας όταν οι διαβασμένες αισθήσεις κυκλωμάτων μια αλλαγή σε μια τάση του bitline.