An amorphous dielectric material having a dielectric constant of 10 or greater is provided herein for use in fabricating capacitors in integrated circuit applications. The amorphous dielectric material is formed using temperatures below 450.degree. C.; therefore the BEOL metallurgy is not adversely affected. The amorphous dielectric material of the present invention exhibits good conformality and a low leakage current. Damascene devices containing the capacitor of the present invention are also disclosed.

Аморфический диэлектрический материал имея диэлектрическую константу 10 или большой обеспечены здесь для пользы в изготовляя конденсаторах в применениях интегрированной цепи. Сформирован аморфический диэлектрический материал использующ температуры под 450.degree. C; поэтому металлургия BEOL неблагоприятно не повлияна на. Аморфический диэлектрический материал присытствыющего вымысла exhibits хороший conformality и низкое течение утечки. Damascene приспособления содержа конденсатор присытствыющего вымысла также показаны.