The present invention provides a resin-encapsulated semiconductor apparatus
comprising a semiconductor device having a ferroelectric film and a
surface-protective film, and an encapsulant member comprising a resin; the
surface-protective film being formed of a polyimide. The present invention
also provides a process for fabricating a resin-encapsulated semiconductor
apparatus, comprising the steps of forming a film of a polyimide precursor
composition on the surface of a semiconductor device having a
ferroelectric film; heat-curing the polyimide precursor composition film
to form a surface-protective film formed of a polyimide; and
encapsulating, with an encapsulant resin, the semiconductor device on
which the surface-protective film has been formed. The polyimide may
preferably have a glass transition temperature of from 240.degree. C. to
400.degree. C. and a Young's modulus of from 2,600 MPa to 6 GPa. The
curing may preferably be carried out at a temperature of from 230.degree.
C. to 300.degree. C.
La actual invención proporciona a un aparato resina-encapsulado del semiconductor que abarca un dispositivo de semiconductor que tiene una película ferroelectric y una película surface-protective, y a miembro encapsulant que abarca una resina; la película surface-protective que es formada de un polyimide. La actual invención también proporciona un proceso para fabricar un aparato resina-encapsulado del semiconductor, abarcando los pasos de formar una película de una composición del precursor del polyimide en la superficie de un dispositivo de semiconductor que tiene una película ferroelectric; de aplicación en caliente la película de la composición del precursor del polyimide para formar una película surface-protective formó de un polyimide; y encapsulando, con una resina encapsulant, el dispositivo de semiconductor en el cual la película surface-protective se ha formado. El polyimide puede preferiblemente tener una temperatura de transición de cristal de 240.degree. C. a 400.degree. C. y un módulo de Young de a partir del 2.600 MPa a 6 GPa. El curar se puede realizar preferiblemente en una temperatura de 230.degree. C. a 300.degree. C.
