Unfavorable interactions of ferroelectric dielectric layers with silicon, intermetallic dielectrics, and other materials in metal-oxide semiconductor devices have discouraged the use of ferroelectric memory devices. This invention provides a zirconium titanate barrier layer with high insulating and low leakage characteristics. The barrier layer is not reactive with silicon or other materials used in metal-ferroelectric-semiconductor devices. These thermally stable layers should facilitate the integration of ferroelectric materials into memory and other semiconductor devices.

De ongunstige interactie van ferroelectric diëlektrische lagen met silicium, intermetallic diëlektrica, en andere materialen in de apparaten van de metaaloxidehalfgeleider hebben het gebruik van ferroelectric geheugenapparaten afgeraden. Deze uitvinding voorziet een de barrièrelaag van het zirconiumtitanaat van het hoge isoleren en lage lekkagekenmerken. De barrièrelaag is niet reactief met silicium of andere materialen die in metaal-ferroelectric-halfgeleider apparaten wordt gebruikt. Deze thermaal stabiele lagen zouden de integratie moeten vergemakkelijken van ferroelectric materialen in geheugen en andere halfgeleiderapparaten.