A surface emitting semiconductor laser that is easy to manufacture and has
a high-intensity fundamental lateral mode optical output power. The
surface emitting semiconductor laser has a semiconductor substrate on
which are sequentially laminated a lower n-type DBR layer, an active layer
region, an upper p-type DBR layer, a p-side electrode that is an upper
layer of the upper n-type DBR layer and functions as an upper electrode
provided with an aperture that forms an emission region for a laser beam,
and a current confinement portion formed by oxidization. On the basis of
the reflectance of a cavity in a region corresponding to the p-side
electrode, a metal aperture diameter (W.sub.metal) of the aperture and a
diameter (W.sub.oxide) of the current confinement portion are determined
such that the difference between an optical loss of a cavity in a
higher-order lateral mode of a laser beam and an optical loss of a cavity
in a fundamental lateral mode of a laser beam becomes larger.
Un laser d'emissione di superficie a semiconduttore che è facile da produrre ed ha un'alimentazione ottica dell'uscita di modo laterale fondamentale ad alta intensità. Il laser d'emissione di superficie a semiconduttore ha un substrato a semiconduttore su cui in sequenza è laminato un n-tipo più basso lo strato di DBR, una regione attiva di strato, un p-tipo superiore lo strato di DBR, un elettrodo del p-lato che è uno strato superiore del n-tipo superiore strato e funzioni di DBR come un elettrodo superiore ha fornito un'apertura che forma una regione dell'emissione per un fascio laser e una parte corrente di relegazione costituita da ossidazione. In base alla riflessione di una cavità in una regione che corrisponde all'elettrodo del p-lato, un diametro dell'apertura del metallo (W.sub.metal) dell'apertura e un diametro (W.sub.oxide) della parte corrente di relegazione sono determinati tali che la differenza fra una perdita ottica di una cavità in un modo laterale higher-order di un fascio laser e una perdita ottica di una cavità in un modo laterale fondamentale di un fascio laser diventi più grande.
