In an electrode structure for a nitride III-V compound semiconductor device, a metallic nitride is used as an electrode material. A metallic material of the metallic nitride has a negative nitride formation free energy, and comprises at least one metal selected from a group consisting of IVa-group metals such as titanium and zirconium, Va-group metals such as vanadium, niobium, and tantalum, and VIa-group metals such as chromium, molybdenum, and tungsten.

In een elektrodenstructuur voor een nitride IIIV het apparaat van de samenstellingshalfgeleider, wordt een metaalnitride gebruikt als elektrodenmateriaal. Een metaalmateriaal van het metaalnitride heeft een negatieve vrije energie van de nitridevorming, en bestaat minstens uit één metaal dat uit een groep wordt geselecteerd die uit iVa-Groep metalen zoals titanium en zirconium, va-Groep metalen zoals vanadium, niobium, en tantalium, en vIa-Groep metalen zoals chromium, molybdeen, en wolfram bestaat.