A substrate such as a sapphire substrate or the like is set to a molecular beam epitaxy (MBE) apparatus. Next, the temperature of the substrate is elevated to the temperature which is lower than the temperature at which a predetermined ZnO based oxide semiconductor layer (i.e. function layer) is grown (S1). Then, raw materials containing oxygen radical is irradiated to the substrate to grow a buffer layer made of ZnO based oxide semiconductor (S2). Subsequently, the irradiation of oxygen radical is stopped so as to eliminate the influence of oxygen onto the buffer layer (S3). Then, the temperature of the substrate is elevated to the temperature at which the predetermined ZnO based oxide semiconductor layer is grown (S4). After that, raw materials containing oxygen radical is irradiated so as to sequentially grow a ZnO based oxide semiconductor layer as a function layer (S5). As a result, a ZnO based oxide semiconductor layer with low concentration of residual carrier can be grown, and a semiconductor light emitting device such as light emitting diode and laser diode with high light emitting characteristics can be obtained.

Un substrato tal como un substrato del zafiro o similares se fija a un aparato del epitaxy de viga molecular (MBE). Después, la temperatura del substrato se eleva a la temperatura que es más baja que se crece la temperatura en la cual un ZnO predeterminado basó capa del semiconductor del óxido (es decir capa de la función) (S1). Entonces, las materias primas que contienen el radical del oxígeno se irradian al substrato para crecer una capa del almacenador intermediario hecha del semiconductor basado ZnO del óxido (S2). Posteriormente, la irradiación del radical del oxígeno se para para eliminar la influencia del oxígeno sobre la capa del almacenador intermediario (S3). Entonces, la temperatura del substrato se eleva a la temperatura en la cual se crece el ZnO predeterminado basó capa del semiconductor del óxido (S4). Después de ése, las materias primas que contienen el radical del oxígeno se irradian para crecer secuencialmente un ZnO basado capa del semiconductor del óxido como capa de la función (S5). Consecuentemente, una capa basada ZnO del semiconductor del óxido con la concentración baja del portador residual puede ser crecida, y un dispositivo que emite ligero del semiconductor tal como diodo electroluminoso y diodo del laser con la alta luz que emite características puede ser obtenido.