An emission layer is formed in a p-layer, and an electron reflecting layer and a hole reflecting layer are formed sandwiching the emission layer. Each of the electron reflecting layer and the hole reflecting layer is constituted by a quantum-wave interference layer with plural periods of a pair of a first layer W and a second layer B. Thicknesses of the first and the second layers in the electron reflecting layer are determined by multiplying by an odd number one fourth of a quantum-wave wavelength of electrons in each of the first and the second layers, and each thicknesses of the first and the second layers in the hole reflecting layer are determined by multiplying by an odd number one fourth of a quantum-wave wavelength of holes in each of the first and the second layers. A luminous efficiency of the LED is improved by electron-hole pairs. The structure in which the emission layer is sandwiched by the electron reflecting layer and the hole reflecting layer is an alternative of a structure in which an i-layer is sandwiched by an n-cladding layer and a p-cladding layer. The emission layer can be formed in a p-layer, and the hole reflecting layer can be formed in an n-layer, an n.sup.- -layer or a p.sup.- -layer.

Een emissielaag wordt gevormd in een speler, en een elektron op laag wijzen en een gat die op laag wijzen worden gevormd klemmend de emissielaag. Elk van het elektron dat op laag en het gat wijst dat op laag wijst wordt gevormd door een laag van de quantum-golfinterferentie met meervoudsperiodes van een paar van een eerste laag W en een tweede laag B. Thicknesses van de eerste en de tweede lagen in het elektron dat op laag wijst worden bepaald door met een oneven aantal één vierde van een quantum-golfgolflengte van elektronen in elk van de eerste en de tweede lagen te vermenigvuldigen, en elke dikten van de eerste en tweede lagen in het gat dat op laag wijst worden bepaald door met een oneven aantal één vierde van een quantum-golfgolflengte van gaten in elk van de eerste en de tweede lagen te vermenigvuldigen. Een lichtgevende efficiency van leiden wordt verbeterd door elektron-gat paren. De structuur waarin de emissielaag door het elektron wijzend op laag en het gat dat op laag wijst wordt geklemd is een alternatief van een structuur waarin een I-laag door een n-bekleding laag en een p-bekleding laag wordt geklemd. De emissielaag kan in een speler worden gevormd, en het gat dat op laag wijst kan in een n-laag, een n.sup. - - laag of een p.sup. worden gevormd - - laag.